思萊克工業科技低阻碳化矽襯底2.0

思萊克低阻碳化矽襯底2.0憑借其突破性的低電阻與晶體質量，爲高性能功率器件構築可靠基石，實現能效與可靠性的雙效提升。

思萊克工業科技參展第22屆國家碳化矽會議

思萊克工業科技在第22屆國際碳化矽會議展示自主創新研發的8英寸低電阻、零TSD缺陷且BPD密度極低的碳化矽襯底，其技術國際領先，爲碳化矽襯底行業發展注入活力。

思萊克工業科技8英寸低阻碳化矽襯底來襲

8英寸低電阻碳化矽襯底其電阻僅8mΩ・cm，适用于新能源汽車、光伏逆變器等領域，顯著降低導通與開關損耗，提升能效和系統可靠性。晶圓零TSD缺陷、BPD密度極低，适用于航空航天、電力電子等高端領域，提高器件壽命和穩定性。

碳化矽襯底制備的主要難點

碳化矽襯底制備的核心難點，在于需在超過2000℃的極端高溫下，從沒有液态、擁有250多種晶體結構的超硬材料中，精确生長出大尺寸、單一晶型且幾乎無缺陷的單晶，并對其進行高精度、低損傷的加工，以實現高良率、低成本的規模化量産。

碳化矽是什麽材料？

碳化矽是一種自1891年被發現的第三代半導體材料，憑借其高達9.5級的硬度、寬禁帶、高擊穿場強以及高熱導率等卓越性能，通過複雜的襯底制備工藝，廣泛應用于新能源汽車、5G通信及航空航天等領域，成爲提升能源效率和系統性能的關鍵核心材料。

碳化矽襯底高端芯片散熱的理想襯底

思萊克工業突破性高導熱碳化矽襯底，熱導率達560W/(m·K)且熱膨脹系數與芯片完美匹配，專爲攻克5G、AI、新能源汽車等高功率芯片散熱難題而生，顯著降低核心溫度并延長器件壽命。